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MCH6660
10
7
| y fs | -- ID
[Nch]
VDS=10V
10
7
5
IS -- VSD
[Nch]
VGS=0V
5
3
2
5 ° C
° C
3
2
1.0
7
5
Ta
=
--2
25
75 °
C
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
3
2
0.01
7
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1000
7
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT16376
[Nch]
VDD=10V
VGS=4.5V
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT16377
[Nch]
f=1MHz
2
3
100
7
5
3
2
tf
td(off)
2
100
7
Ciss
10
5
7
5
3
tr
td(on)
3
2
Coss
Crss
2
1.0
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0 μ
1m
ID=2A
10
0m
DC
op
e r a
tio
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
VDS=10V
ID=2A
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT16378
[Nch]
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ASO
IDP=8A (PW ≤ 10 μ s) 10
s
s
ms
10
s
n
IT16379
[Nch]
2.0
1.5
1.0
0.5
2
0.1
7
5
3
2
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25 ° C
Single pulse
0.1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.01 When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm) 1unit
2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10
2
3
5 7 100
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
--2.0
--1.8
Total Gate Charge, Qg -- nC
ID -- VDS
IT16380
[Pch]
--2.0
--1.8
ID -- VGS [Pch]
IT16647
VDS= --10V
--1.6
--1.6
--1.4
--1.2
--1.5
V
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
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VGS= --1.0V
--0.6
--0.4
--0.2
0
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--0.1 --0.2
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0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14614
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
IT14615
No. A1993-4/9
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